- Dimensiones (mm): 22x80
- Garantía del fabricante: 5 años
- DWPD (veces/día): 0,4
- TBW (TB): 650
- IOPS lecturas (mil): 410
- IOPS registros (mil): 370
- MTBF: 2
- Resistencia a los golpes durante el funcionamiento (G): 1500
- Velocidad de lectura externa (MB/s): 3500
- Velocidad de escritura externa (MB/s): 2900
- Velocidad de lectura externa (MB/s): NVMe
- Tipo de memoria: 3D TLC NAND
| Tipo | interno |
| Capacidad | 1000 GB |
| Factor de forma | M.2 |
| Interfaz M.2 | PCI-E 3.0 4x |
| Controlador | Silicon Motion SM2262EN |
| Memoria de búfer | 1000 MB |
| Tipo de memoria | 3D TLC NAND |
| NVMe | |
| Velocidad de escritura externa | 2900 MB/s |
| Velocidad de lectura externa | 3500 MB/s |
| Correr choque | 1500 G |
| Tiempo entre fallas | 2 millones h |
| IOPS registros | 370 mil |
| IOPS lee | 410 k |
| TBW | 650 TB|
| DWPD | 0.4 veces/día |
| Garantía del fabricante | 5 años |
| Dimensiones | 22x80 mm |
